Phương pháp điều chế silicon đơn tinh thể

Việc điều chế silicon đơn tinh thể đòi hỏi sự chuyển đổi từ đa tinh thể sang đơn tinh thể, nghĩa là các nguyên tử biến đổi trực tiếp từ sự sắp xếp ngẫu nhiên trong pha lỏng sang mảng có trật tự và từ cấu trúc bất đối xứng sang cấu trúc đối xứng. Sự chuyển đổi này không phải là hiệu ứng toàn cầu mà được thực hiện dần dần thông qua chuyển động của giao diện chất lỏng{1}}rắn. Để đạt được quá trình biến đổi này, silicon đa tinh thể phải trải qua quá trình chuyển đổi từ silicon rắn sang silicon nóng chảy, sau đó thành silicon tinh thể rắn. Đây là con đường phải đi theo để phát triển silicon đơn tinh thể từ silicon nóng chảy. Hiện nay, hai phương pháp được sử dụng rộng rãi nhất là phương pháp Czochralski và phương pháp nấu chảy vùng nổi không dùng nồi nấu kim loại. Silicon đơn tinh thể thu được bằng hai phương pháp này lần lượt được gọi là silicon CZ và silicon FZ.